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Diodo de interruptor de alta velocidade 1SS83 de VR 250V com o planar Epitaxial do silicone

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificações
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificações
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Diodo de interruptor de alta velocidade 1SS83 de VR 250V com o planar Epitaxial do silicone

VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar
VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar

Imagem Grande :  Diodo de interruptor de alta velocidade 1SS83 de VR 250V com o planar Epitaxial do silicone

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: XUYANG
Certificação: ISO9001/RoHS
Número do modelo: 1SS83

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5000pcs
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: fita na caixa, 5000pcs/box
Tempo de entrega: 5 - 8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T / T, Western Union
Habilidade da fonte: 100000pcs por 1 semana
Descrição de produto detalhada
nome: diodo de interruptor de alta tensão número da peça: 1SS83
VR: 250V Processo: DO-35
Temperatura de junção: 175°C A temperatura de armazenamento: – 65 a +175°C
Realçar:

small signal fast switching diodes

,

small signal switching diode

Planar Epitaxial do silicone para o diodo de interruptor de alta tensão 1SS83

 

 

Características

 

• Alta tensão reversa (VR = 250V)

• Confiança alta com selo de vidro

.

Dados mecânicos

Caso: Caso DO-35 de vidro

Peso: aproximadamente 0.13g

 

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão reversa VR 250 V
Reverso máximo Voltage*1 VRM 300 V
A média retificou a corrente Io 200 miliampère
Corrente dianteira máxima IFM 625 miliampère
Corrente de impulso dianteiro máxima Não-repetitiva IFSM *2 1 A
Dissipação de poder Paládio 400 mW
Temperatura de junção Tj 175 °C
Temperatura de armazenamento TS – 65 a +175 °C

 

Características elétricas (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Condição de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
Tensão dianteira VF SE = 100mA 1,0 V
Corrente reversa IR1 VR = 200V 200 nA
IR2 VR = 300V 100 μA
Capacidade C VR = 0V, f =1.0 megahertz 1,5 PF
Tempo de recuperação reversa trr

SE = IR = 30mA,

IRR = 3 miliampères, RL = 100Ω

100 ns

 

Tiragem:

Diodo de interruptor de alta velocidade 1SS83 de VR 250V com o planar Epitaxial do silicone 0

part1 diode.png

 

nosso serviço:

A circunstância conservada em estoque está atualizando sempre, boa vinda para contactar-nos para mais detalhes.

Nós prometemos citar somente produtos com condição real de 100%, nunca vendemos recondicionado ou copiamos como o original.

Nosso objeto é fazer a cooperação a longo prazo.

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Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Bixia Wu

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