Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Nome: | Diodo de SMD Schottky | Número da peça: | B5819WS |
|---|---|---|---|
| atual: | 1A | Tensão: | 40V |
| Pacote: | SOD-323 | SPQ: | 3000pcs |
| Variação da temperatura de trabalho: | -65~+150℃ | Envio perto: | DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ mar |
| Realçar: | low leakage schottky diode,1n5820 schottky diode |
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Diodos de retificador 1A da barreira de B5819WS SMD Schottky 40V SOD-323
Com capacidades fortes do R&D, equipamento de produção avançado e dispositivos perfeitos da medida.
Nós fornecemos produtos e serviço qualificados de acordo com o sistema de gerenciamento da qualidade ISO9001.
Todos os produtos passaram o teste perigoso da substância, padrões encontrados da UE e EUA.
Aplicação:
Os diodos de Schottky são aplicados extensamente em circuitos eletrônicos como interruptores, inversores,
reguladores e motoristas.
Dados mecânicos
Caso: Corpo de Moldedplastic
Terminais: Solde chapeado capaz por MIL-STD-750, método 2026 das ligações
Polaridade: Símbolos da polaridade marcados no caso
Marcação: B5817WS: SJ, B5818WS: SK, B5819WS: SL
AVALIAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Avaliando 25 otherwies dos uniess da temperatura ambiental de C especificados.
Carga da semionda, do 60Hz, a resistive ou a indutiva da fase monofásica.
Para a carga capacitiva, derate a corrente por 20%.
| Parâmetro |
Símbolo |
B5817WS | B5818WS | B5819WS | UNIDADES |
| Tensão reversa máxima periódica Não-repetitiva |
VRM |
20 | 30 | 40 | V |
| Tensão reversa do RMS |
VRRM VRWM VR |
14 | 21 | 28 | V |
|
Tensão reversa máxima repetitiva máxima Tensão reversa máxima de trabalho Tensão de obstrução da C.C. |
VRM (RMS) | 20 | 30 | 40 | V |
| A média retificou a corrente de saída |
Io |
1,0 | A | ||
| Senhora 8,3 máxima da corrente de impulso dianteiro @ |
IFSM |
25 | A | ||
| Corrente dianteira máxima repetitiva |
IFRM |
625 | miliampère | ||
| Dissipação de poder |
Paládio |
250 | mW | ||
|
Junção da resistência térmica a Ambiental |
RθJA |
500 | ℃/W | ||
| Variação da temperatura T STG do armazenamento |
TSTG |
-65 +150 | ℃ | ||
Características elétricas (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Condição de teste | Minuto | Máximo | Unidade |
| Tensão de divisão reversa | VBR |
IR = 100mA B5817WS B5818WS B5819WS |
20 30 40 |
V | |
| Corrente do escapamento da tensão reversa | IR |
VR = 20V B5817WS VR = 30V B5818WS VR = 40V B5819WS |
1 | miliampère | |
| Tensão dianteira | VF |
B5817WS SE = 1A SE = 3A |
0,45 0,75 |
V | |
|
B5818WS SE = 1A SE = 3A |
0,55 0,875 |
V | |||
|
B5819WS SE = 1A SE = 3A |
0,6 0,9 |
V | |||
| Capacidade dos diodos | CD | VR = 4V, f =1.0 megahertz | 120 | PF |
Tamanho:
Pagamento
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Pessoa de Contato: Bixia Wu
