Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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número da peça: | BAS86 | VR: | 50V |
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Pacote: | SOD-80C | Corrente dianteira máxima repetitiva: | 500mA |
Corrente dianteira: | 200mA | Tipo: | Díodo de Schottky barreira |
Realçar: | 1n914 switching diode,1n914 blocking diode |
Componentes eletrônicos de superfície dos diodos BAS86 50V da barreira de Schottky da montagem
Recursos
1. Anel de proteção integrado contra descarga estática
2. Tensão direta muito baixa
Aplicações:
Classificações máximas absolutas
Tj = 25 ℃
Parâmetro | Condições de teste | Símbolo | Valor | Unidade |
Voltagem inversa | VR | 50. | V | |
Corrente de pico de pico de avanço | tp = 10 ms | IFSM | 5 | UMA |
Corrente direta de pico repetitivo | tp≤1s | IFRM | 500 | mA |
Atual para a frente | E SE | 200 | mA | |
Corrente direta média | IFAV | 200 | mA | |
Temperatura da junção | Tj | 125 | ℃ | |
Amplitude Térmica de armazenamento | Tstg | -65 ~ + 150 | ℃ | |
Ambiente de junção | na placa de PC 50mmx50mmx1.6mm | RthJA | 320 | K / W |
características elétricas
Tj = 25 C
Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Mín. | Typ | Máx. | Unidade |
Tensão de Avaria Reversa | V (BR) R | IR = 10ìA (pulsado) | 30 | V | ||
Corrente de fuga | IR | VR = 25V | 0,2 | 2 | μA | |
Tensão direta | VF | Teste de pulso tp <300μs IF = 0,1mA IF = 1mA IF = 10mA IF = 30mA IF = 100mA | 0,5 | 0,24 0,32 0,4 0,8 | V | |
Capacitância | Ctot | VR = 1V, f = 1MHz | 10 | pF | ||
Tempo de recuperação reversa | trr | IF = 10mA, IR = 10mA IR = 1mA | 5 | ns |
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Pessoa de Contato: Bixia Wu