Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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nome: | Diodo de interruptor | número da peça: | 1N4148 |
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VR: | 75V | Pacote: | DO-35 |
Estado sem chumbo: | Sem chumbo/RoHS | Envio perto: | DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ mar |
Realçar: | ultra fast switching diode,small signal switching diode |
diodo de interruptor de alta velocidade 1N4148 do pacote de 0.15A 75V 4.0nS DO-35
Características
• Diodo planar Epitaxial do silicone
• Diodo de interruptor rápido.
• Este diodo está igualmente disponível em outros estilos do caso que incluem o caso SOD-123 com o tipo
designação 1N4148W, o exemplo de MiniMELF com o tipo designação LL4148, o SOT-23
caso com o tipo designação IMBD4148.
.
Dados mecânicos
Caso: Caso DO-35 de vidro
Peso: aproximadamente 0.13g
Tiragem:
Avaliações máximas e características térmicas (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)
Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
Tensão reversa | VR | 75 | V |
Tensão reversa máxima | VRM | 100 | V |
A média retificou a corrente Correção de meia onda com carga Resistive em Tamb = em 25°C |
SE (AVOIRDUPOIS) | 150 | miliampère |
Corrente dianteira do impulso em t < 1s="" and="" Tj="25°C | IFSM | 500 | miliampère |
Dissipação de poder em Tamb = em 25°C | Ptot | 500 | mW |
Junção da resistência térmica ao ar ambiental | RθJA | 350 | °C/W |
Temperatura de junção | Tj | 175 | °C |
Temperatura de armazenamento | TS | – 65 a +175 | °C |
Características elétricas (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)
Parâmetro | Símbolo | Condição de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
Tensão de divisão reversa | V (BR) R | IR = 100μA | 100 | V | ||
Tensão dianteira | VF | SE = 10mA | — | — | 1,0 | V |
Corrente do escapamento | IR |
VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C |
— | — |
25 5 50 |
nA μA μA |
Capacidade | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
Elevação da tensão ao ligar (testado com pulsos 50mA) |
Vfr |
tp = 0.1μs, tempo de elevação < 30ns=""> fp = 5 a 100kHz |
— | — | 2,5 | ns |
Tempo de recuperação reversa | trr |
SE = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω |
— | — | 4 | ns |
Eficiência de correção | nanovolt | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
Pessoa de Contato: Bixia Wu