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Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificações
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificações
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Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta

Silicon Bidirectional DB3 DIAC Trigger Diode With High Forward Surge Capability
Silicon Bidirectional DB3 DIAC Trigger Diode With High Forward Surge Capability Silicon Bidirectional DB3 DIAC Trigger Diode With High Forward Surge Capability Silicon Bidirectional DB3 DIAC Trigger Diode With High Forward Surge Capability

Imagem Grande :  Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: XUYANG
Certificação: ISO9001
Número do modelo: DB3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5000pcs
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: fita no carretel, 5000pcs/reel
Tempo de entrega: 5 - 8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T / T, Western Union
Habilidade da fonte: 100000pcs por 1 semana
Descrição de produto detalhada
número da peça: DB3 VBO: 28-36V
Pacote: SMA/DO-214AC Temperatura de junção: -40~+110°C
Embalagem: Fita no carretel Envio perto: DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ mar
Realçar:

db3 diac diode

,

db3 diac trigger diode

Diodo bidirecional DB3 SMA do disparador do DIAC do silicone com pacote de superfície da montagem

 

Características

1. Baixo escapamento reverso

2. Capacidade de impulso dianteira alta

3. Solda de alta temperatura garantida: 250℃/10 segundos, 0,375" comprimento da ligação (de 9.5mm)

 

 

Dados mecânicos

·Terminais: Ligações axiais chapeadas
·Polaridade: A faixa da cor denota a extremidade do cátodo
·Posição de montagem: Alguns

 

 

Avaliações máximas absolutas

Símbolos Parâmetro Valor Unidade
DB3
PC

Dissipação de poder no impresso

Circuito [L=10mm]

TA=50℃ 150 mW
ITRM

Em-estado máximo repetitivo

Atual

tp=10us

F=100Hz

2,0 A
TSTG/TJ Armazenamento e 0 temperaturas de junção perating -40 a +125/-40 110

 

Características elétricas

Parâmetro Símbolo Condições de teste Valor Unidade
Tensão de continuação VBO   MÍNIMO. 28 V
TIPO. 32
MÁXIMO. 36
Simetria da tensão de continuação |VBO1-VBO2| C=22nF ** MÁXIMO. ±3 V
Voltage* dinâmico da continuação △V VBO e VF em 10mA MÍNIMO. 5 V
Voltage* da saída VO veja o diagrama 2 (R=20Ω) MÍNIMO. 5 V
Current* da continuação IBO C=22nF ** MÁXIMO. 100 μA
Time* da elevação tr   MÁXIMO. 1,5 μs
Current* do escapamento IR VR=0.5VBO máximo MÁXIMO. 10 μA

Notas: características 1.Electrical aplicáveis em sentidos dianteiros e reversos.
           2.Connected paralelamente aos dispositivos.

 

Tamanho:

Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta 0Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta 1

 

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Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Bixia Wu

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