Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| número da peça: | RGP10A-M | Atual: | 1A |
|---|---|---|---|
| tensão: | 50-1000V | Pacote: | DO-41 |
| SPQ: | 5000pcs | ROHS: | Sim |
| Realçar: | ultrafast bridge rectifier,fast recovery bridge rectifier |
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o vidro rápido super do retificador de silicone da recuperação 1Amp Passivated 50-1000V RGP10A-M DO-41
CARACTERÍSTICAS
Junções passivated vidro da microplaqueta do ●
Ideal do ● para a colocação automatizada
Tempo de recuperação reversa Ultrafast do ●
para a eficiência elevada
Pacote do perfil baixo do ●
Capacidade de impulso dianteira alta do ●
Solda da alta temperatura do ●:
segundos 260℃/10 em terminais
Componente do ● do acordo a
RoHS 2002/95/1 e WEEE 2002/96/EC
Data mecânica
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades | ||||||
| 10A | 10B | 10D | 10G | 10J | 10K | 10M | |||
| V RRM | Tensão reversa repetitiva máxima | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| MIM F (AVOIRDUPOIS) |
A média retificou a corrente dianteira, .375" comprimento @ T da ligação L = 55°C |
1,0 | A | ||||||
| MIM FSM |
corrente de impulso dianteiro máxima Não-repetitiva 8,3 Senhora única Metade-Seno-onda |
30 | A | ||||||
| Stg de T | Variação da temperatura do armazenamento | -65 a +175 | °C | ||||||
| T J | Temperatura de junção de funcionamento | -65 a +175 | °C | ||||||
* estas avaliações são os valores de limitação acima de que a utilidade de todo o dispositivo de semicondutor pode ser danificada
Características térmicas
| Symboy | Paramete | Valor | Unidades |
| P D | Dissipação de poder | 3,0 | W |
| R do θJA | Resistência térmica, junção a ambiental | 50 | °C/W |
Características elétricas T A = 25°C salvo disposição em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades | ||||||
| 10A | 10B | 10D | 10G | 10J | 10K | 10M | |||
| VF | Tensão dianteira @ 1,0 A | 1,3 | V | ||||||
| t rr |
Tempo de recuperação reversa Mim F = 0,5 A, I R = 1,0 A, I rr = 0,25 A |
150 | 250 | 500 | A | ||||
| MIM R |
A corrente reversa @ avaliou V R T A = 25°C T A = 150°C |
5,0 200 |
A A |
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| C T |
Capacidade total V R = 4,0 V, f = 1,0 megahertz |
15 | PF | ||||||
Tamanho
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