Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Número da peça: | BAT42 | VR: | 30v |
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| Pacote: | DO-35 | SPQ: | 5000pcs |
| Corrente dianteira: | 200mA | Temperatura de junção: | 125℃ |
| Realçar: | 1n914 switching diode,schottky diode smd |
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Diodos de interruptor pequenos DO-35 do diodo de Schottky do sinal de BAT42 BAT43
Características
· Para aplicações de uso geral
· Estes diodos caracterizam a tensão de ligação muito baixa e o interruptor rápido.
· Estes dispositivos são protegidos por um anel de protetor da junção do PN contra a tensão excessiva, como
descargas eletrostáticas.
· Estes diodos estão igualmente disponíveis no exemplo de MiniMELF com tipo designação LL42 a LL43.
· Solda de alta temperatura garantida: segundos 260℃/10 em terminais
· Componente do acordo a RoHS 2015/863/EU
Aplicações
Baixa correção atual e interruptor de alta velocidade
Construção
Planar epitaxial do silicone
Avaliações máximas absolutas
Tj=25℃
| Parâmetro | Condições de teste | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão reversa máxima repetitiva | VRRM | 30 | V | |
| Corrente contínua dianteira | Ta=25℃ | SE | 200 | miliampère |
| Corrente de impulso dianteiro máxima repetitiva | Tp<1s, Ta=25℃ | IFRM | 500 | miliampère |
| O impulso envia a corrente | Tp<10ms, Ta=25℃ | IFSM | 4 | A |
| Dissipação de poder | Ta=65℃ | Pequenode P | 200 | mW |
| Temperatura de junção | Tj | 125 | ℃ | |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | -65~+150 | ℃ |
Características elétricas (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Condições de teste | Tipo | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Tensão de divisão reversa | V(BR)R | 30 | |||||
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Tensão dianteira Teste do pulso |
IF=10mA | BAT42 | VF | 0,4 | V | ||
| IF=200mA | BAT42 | VF | 1,0 | V | |||
| IF=2mA | BAT43 | VF | 0,26 | 0,33 | V | ||
| IF=15mA | BAT43 | VF | 0,45 | ||||
| IF=50mA | BAT43 | VF | 0,65 | ||||
| IF=200mA | BAT43 | VF | 1,0 | V | |||
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Corrente reversa Tp<300us |
VR=25V VR=25V, Tj =100℃ |
IR | 0,5 | μA | |||
| 100 | μA | ||||||
| capacidade | VR=1V, f=1MHz | Ctot | 7,0 | PF | |||
| Tempo de recuperação reversa | IF=IR=10mA Irr=1mA RL=100Ω | trr | 5,0 | ns |
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Pessoa de Contato: Bixia Wu
